参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPP04CN10N G
说明	功率MOSFET   10mm TO-220
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1288 [库存更新时间：2025-04-23]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	210nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	300W
高度	15.65mm
长度	10mm
系列	OptiMOS2
宽度	4.4mm
正向跨导 - 最小值	165S,83S
下降时间	25ns
上升时间	78ns
典型关闭延迟时间	76ns
典型接通延迟时间	34ns
Moisture Level	NA
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.9mΩ
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	100A
QG (typ @10V)	158.0 nC
封装/外壳	TO-220
Rth	0.5 K/W
Budgetary Price €€/1k	2.13
Ptot max	300.0W
FET类型	N-Channel
Coss	1590.0 pF
Ciss	10400.0pF
栅极电压Vgs	3V,2V,4V
工作温度	-55°C~175°C